四位半顯示讀數(shù)；八量程自動或手動測試；
本儀器采用4.3吋大液晶屏幕顯示，同時顯示電阻值、電阻率、方阻、電導率值、溫度、壓強值、單位自動換算，配置不同的測試治具可以滿足不同材料的測試要求。測試治具可以根據(jù)產(chǎn)品及測試項目要求選購.
國際標準分類中，四探針法涉及到半導體材料、金屬材料試驗、絕緣流體、獸醫(yī)學、復合增強材料、電工器件、無損檢測、集成電路、微電子學、土質(zhì)、土壤學、水質(zhì)、電子顯示器件、有色金屬。
GB/T 14141-2009 硅外延層、擴散層和離子注入層薄層電阻的測定.直排四探針法
整機測量最大相對誤差：≤±3%；整機測量標準不確定度：≤±3%
基本設置操作簡單，方阻、電阻、電阻率、電導率和分選結(jié)果；多種參數(shù)同時顯示。
GB/T 6617-2009 硅片電阻率測定 擴展電阻探針法
本標準適用于測量直徑大于15.9mm的由外延、擴散、離子注人到硅片表面上或表面下形成的薄層的平均薄層電阻。硅片基體導電類型與被測薄層相反。適用于測量厚度不小于0.2 μm的薄層，方塊電阻的測量范圍為10A~5000n.該方法也可適用于更高或更低照值方塊電阻的測量，但其測量精確度尚未評估。
GB/T 1551-1995 硅、鍺單晶電阻率測定 直流兩探針法
GB/T 11073 硅片徑向電阻率變化的測量方法提要
便于查看的顯示/直觀的操作性：高亮度、超清晰4.3寸彩色LCD顯示；操作易學，直觀使用；
提供中文或英文兩種語言操作界面選擇，滿足國內(nèi)及國外客戶需求
GB/T 1552-1995 硅、鍺單晶電阻率測定直排四探針法
GB/T 6617-1995 硅片電阻率測定 擴展電阻探針法
下列文件中的條款通過本標準的引用商成為本標準的條款。凡是注日期的引用文件，其隨后所有的修改單（不包括勘誤的內(nèi)容）或修訂版均不適用于本標準，然而，鼓勵根據(jù)本標準達成協(xié)議的各方研究是否可使用這些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本適用于本標準。 GB/T 1552 硅、儲單晶電阻率測定 直排四探針法
正反向電流源修正測量電阻誤差
恒流源：電流量程分為： 1uA、10uA、100uA、1mA、10mA 、100mA六檔；儀器配有恒流源開關(guān)可有效保護被測件，即先讓探針頭壓觸在被測材料上，后開恒流源開關(guān)，避免接觸瞬間打火。為了提高工作效率，如探針帶電壓觸單晶對材料及測量并無影響時，恒流源開關(guān)可一直處于開的狀態(tài)。
在中國標準分類中，四探針法涉及到半金屬與半導體材料綜合、金屬物理性能試驗方法、、、電工合金零件、特種陶瓷、質(zhì)譜儀、液譜儀、能譜儀及其聯(lián)用裝置、電阻器、半導體集成電路、工程地質(zhì)、水文地質(zhì)勘察與巖土工程、水環(huán)境有毒害物質(zhì)分析方法、電工材料和通用零件綜合、半金屬、元素半導體材料、金屬無損檢驗方法。
可配合多種探頭進行測試；也可配合多種測試臺進行測試。
測量范圍寬： 電阻：10-4Ω－10-5Ω ；方阻：10-4Ω/□－105Ω/□；
精度高：電阻基本準確度： 0.05％；方阻基本準確度：3%；電阻率基本準確度：3%
本儀器配置各類測量裝置可以測試不同材料之電導率。液晶顯示，無需人工計算，并帶有溫度補償功能，電導率單位自動選擇，BEST-300C 材料電導率測試儀自動測量并根據(jù)測試結(jié)果自動轉(zhuǎn)換量程，無需人工多次和重復設置。選配：配備軟件可以由電腦操控，并保存和打印數(shù)據(jù)，自動生成圖表和報表。
范圍本標準規(guī)定了用直排四探針測量硅外延層、擴散層和離子注入層薄層電阻的方法。
